BFR93AE6327HTSA1, Trans RF BJT NPN 12V 0.09A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Фото 1/8 BFR93AE6327HTSA1, Trans RF BJT NPN 12V 0.09A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
19 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
от 6000 шт.18 руб.
от 12000 шт.17 руб.
Добавить в корзину 3000 шт. на сумму 57 000 руб.
Номенклатурный номер: 8003209803
Артикул: BFR93AE6327HTSA1

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > RF BJT
Описание Транзистор n-p-n 15В 0,035A 6ГГц SOT23 Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид NPN

Технические параметры

Другие названия товара № BFR 93A E6327 SP000011066
Категория продукта РЧ биполярные транзисторы
Подкатегория Transistors
Размер фабричной упаковки 3000
Серия BFR93
Технология Si
Тип продукта RF Bipolar Transistors
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка / блок SOT-23-3
Pd - рассеивание мощности 300 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1 mm
Длина 2.9 mm
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 70 at 30 mA at 8 V
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.09 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 20 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 12 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 2 V
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 6000 MHz
Тип RF Bipolar Small Signal
Тип транзистора Bipolar
Ширина 1.3 mm
Maximum Collector Base Voltage 20 V
Maximum Collector Emitter Voltage 12 V
Maximum DC Collector Current 90 mA
Maximum Emitter Base Voltage 2 V
Maximum Operating Frequency 6 GHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 300 mW
Mounting Type Surface Mount
Package Type SOT-23
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Type NPN
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 606 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов