BFR93AE6327HTSA1, Trans RF BJT NPN 12V 0.09A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
19 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
от 6000 шт. —
18 руб.
от 12000 шт. —
17 руб.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 57 000 руб.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > RF BJT
Описание Транзистор n-p-n 15В 0,035A 6ГГц SOT23 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Технические параметры
Другие названия товара № | BFR 93A E6327 SP000011066 |
Категория продукта | РЧ биполярные транзисторы |
Подкатегория | Transistors |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | BFR93 |
Технология | Si |
Тип продукта | RF Bipolar Transistors |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1 mm |
Длина | 2.9 mm |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 70 at 30 mA at 8 V |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.09 A |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 20 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 12 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 2 V |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 6000 MHz |
Тип | RF Bipolar Small Signal |
Тип транзистора | Bipolar |
Ширина | 1.3 mm |
Maximum Collector Base Voltage | 20 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 12 V |
Maximum DC Collector Current | 90 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | 2 V |
Maximum Operating Frequency | 6 GHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 300 mW |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов