2N2222A, 40V 625mW 100@150mA,10V 600mA NPN TO-92-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

36700 шт., срок 7-9 недель

6 руб.

Кратность заказа 50 шт.

от 500 шт. — 5 руб.

от 2500 шт. — 3.80 руб.

от 3000 шт. — 3.33 руб.

50 шт. на сумму 300 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8003408859

Артикул: 2N2222A

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Brand	Central Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO	75 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	1 V
Configuration	Single
DC Collector/Base Gain Hfe Min	35
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V
Factory Pack Quantity	2000
Gain Bandwidth Product FT	300 MHz
Manufacturer	Central Semiconductor
Maximum DC Collector Current	0.8 A
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-65 C
Mounting Style	Through Hole
Package / Case	TO-18
Packaging	Bulk
Part # Aliases	2N2222A PBFREE
Pd - Power Dissipation	400 mW
Product Category	Bipolar Transistors-BJT
Product Type	BJTs-Bipolar Transistors
Series	2N2222
Subcategory	Transistors
Transistor Polarity	NPN
Вес, г	1