DXT5551-13

Фото 1/4 DXT5551-13
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
14 руб.
Мин. кол-во для заказа 26 шт.
от 30 шт.12 руб.
от 100 шт.10.41 руб.
Добавить в корзину 26 шт. на сумму 364 руб.
Номенклатурный номер: 8023094045
Бренд: DIODES INC.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 1W 160V

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 1000 mW
Высота 1.6 mm
Длина 4.6 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 30 at 50 mA, 5 V
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 600 mA
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 180 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 160 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 200 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 300 MHz
Размер фабричной упаковки 2500
Серия DXT5551
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-89-3
Ширина 2.6 mm
Collector-Emitter Breakdown Voltage 160V
Maximum DC Collector Current 600mA
Pd - Power Dissipation 1W
Transistor Type NPN
Automotive No
Configuration Single Dual Collector
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Lead Shape Flat
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 1 1mA 10mA|1 5mA 50mA
Maximum Collector Base Voltage (V) 180
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.15 1mA 10mA|0.2 5mA 50mA
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 160
Maximum DC Collector Current (A) 0.6
Maximum Emitter Base Voltage (V) 6
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 1200
Maximum Transition Frequency (MHz) 300
Minimum DC Current Gain 80 1mA 5V|80 10mA 5V|30 50mA 5V
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 3
Pin Count 4
PPAP No
Product Category Bipolar Power
Standard Package Name SOT
Supplier Package SOT-89
Tab Tab
Type NPN
Maximum Collector Base Voltage 180 V
Maximum Collector Emitter Voltage 160 V
Maximum Emitter Base Voltage 6 V
Maximum Operating Frequency 300 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 1.2 W
Mounting Type Surface Mount
Package Type SOT-89
Transistor Configuration Single

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 413 КБ
Datasheet DXT5551-13
pdf, 353 КБ
Datasheet DXT5551-13
pdf, 366 КБ
Datasheet DXT5551-13
pdf, 358 КБ
Datasheet DXT5551-13
pdf, 353 КБ