DMN2300U-7

* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
Ном. номер: 8003558260
Производитель: Diodes Incorporated
13 руб.
|
11195 шт., срок 5-6 недель |
|
от 50 шт. —
9.50 руб.
от 150 шт. —
8.90 руб.
от 500 шт. —
8.30 руб.
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
Кратность заказа 5 шт. |
Цена | Наличие | Кратность | Минимум | Количество |
---|---|---|---|---|
6 руб. | 7 дней, 24000 шт. | 3000 шт. | 3000 шт. | |
10 руб. | 7 дней, 25050 шт. | 50 шт. | 50 шт. | |
42 руб. | 2-4 недели, 2885 шт. | 5 шт. | 5 шт. | |
от 25 шт. — 40 руб.
от 100 шт. — 21 руб.
|
Добавить в корзину 0 шт.
на сумму 0 руб.
|
Описание
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
Технические параметры
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Максимальный непрерывный ток стока | 1,4 A |
Тип корпуса | SOT-23 |
Максимальное рассеяние мощности | 550 мВт |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Ширина | 1.4мм |
Высота | 1.1мм |
Размеры | 3 x 1.4 x 1.1мм |
Материал транзистора | Кремний |
Количество элементов на ИС | 1 |
Длина | 3мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Типичное время задержки включения | 3,5 нс |
Производитель | DiodesZetex |
Типичное время задержки выключения | 38 нс |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Maximum Gate Threshold Voltage | 0.95V |
Максимальное сопротивление сток-исток | 360 mΩ |
Максимальное напряжение сток-исток | 20 V |
Число контактов | 3 |
Категория | Мощный МОП-транзистор |
Типичный заряд затвора при Vgs | 1,6 нКл при 4,5 В |
Номер канала | Поднятие |
Типичная входная емкость при Vds | 64,3 пФ при 25 В |
Тип канала | N |
Максимальное напряжение затвор-исток | -8 В, +8 В |
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Количество элементов на ИС | 1 |
Length | 3мм |
Конфигурация транзистора | Одинарный |
Brand | DiodesZetex |
Maximum Continuous Drain Current | 1,4 А |
Тип корпуса | SOT-23 |
Maximum Power Dissipation | 550 мВт |
Mounting Type | Поверхностный монтаж |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Width | 1.4мм |
Maximum Gate Threshold Voltage | 0.95V |
Высота | 1.1мм |
Максимальное сопротивление сток-исток | 360 мΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 20 В |
Число контактов | 3 |
Типичный заряд затвора при Vgs | 1,6 нКл при 4,5 В |
Материал транзистора | Кремний |
Channel Mode | Поднятие |
Тип канала | N |
Maximum Gate Source Voltage | +8 В |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.