PBSS4160DSH

Фото 1/2 PBSS4160DSH
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
100 шт., срок 7-9 недель
42 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
Добавить в корзину 8 шт. на сумму 336 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8024088718
Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 1A NPN/NPN Low VCEsat Transistor

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 700 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Другие названия товара № 934058115125
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 250 at 1 mA, 5 V
Конфигурация Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 500 at 1 mA, 5 V
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 200 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 1 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 220 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Nexperia
Упаковка / блок TSOP-6
Collector Emitter Voltage Max NPN 60В
Continuous Collector Current NPN 870мА
DC Current Gain hFE Min NPN 100hFE
DC Ток Коллектора 870мА
DC Усиление Тока hFE 100hFE
Power Dissipation NPN 420мВт
Transition Frequency NPN 220МГц
Количество Выводов 6вывод(-ов)
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Коллектор-Эмиттер 60В
Рассеиваемая Мощность 420мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора SC-74
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный

Техническая документация

Datasheet
pdf, 317 КБ
Datasheet PBSS4160DS,115
pdf, 324 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.