DMN62D0LFD-7
11 руб.
Мин. кол-во для заказа 40 шт.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
10 руб.
от 300 шт. —
8.50 руб.
Добавить в корзину 40 шт.
на сумму 440 руб.
Описание
60V 310mA 2Ω@4V,100mA 480mW 1V@250uA N Channel X1-DFN1212-3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 310mA |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 2Ω@4V, 100mA |
Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 31pF@25V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 480mW |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 500pC@4.5V |
Type | N Channel |
Техническая документация
Datasheet DMN62D0LFD-7
pdf, 436 КБ