BC807-16LT1G

Фото 2/2 BC807-16LT1G
Фото 1/2 BC807-16LT1G
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8003565052
Производитель: ON Semiconductor
4.40 руб.
38540 шт.,
срок 5-6 недель
от 200 шт. — 3.40 руб.
от 600 шт. — 3.10 руб.
от 2000 шт. — 2.90 руб.
Мин. кол-во для заказа 40 шт.
Кратность заказа 20 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
79 руб. 1025 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 41 руб.
от 5 шт. — 17 руб.
от 10 шт. — 9.30 руб.
13.10 руб. 3-5 недель, 13165 шт. 1 шт. 10 шт.
от 100 шт. — 5.90 руб.
9 руб. 3-4 недели, 6000 шт. 25 шт. 25 шт.
от 100 шт. — 5 руб.
от 375 шт. — 2.80 руб.
от 1750 шт. — 2.45 руб.
2 руб. 6 дней, 15382 шт. 1 шт. 636 шт.
от 1272 шт. — 1.40 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Есть аналоги

Описание

The BC807-16LT1G is a PNP general purpose Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the package which is designed for lower power surface-mount applications.

• AEC-Q101 qualified and PPAP capable

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.7 V
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальная рабочая частота 100 МГц
Количество элементов на ИС 1
Длина 2.9мм
Максимальное напряжение коллектор-база 50 V
Transistor Configuration Одинарный
Производитель ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 45 В
Тип корпуса SOT-23
Максимальное рассеяние мощности 300 мВт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура -55 °C
Ширина 1.3мм
Максимальный пост. ток коллектора 500 мА
Тип транзистора PNP
Высота 0.94мм
Число контактов 3
Размеры 0.94 x 2.9 x 1.3мм
Максимальное напряжение эмиттер-база 5 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току 100

Дополнительная информация

Datasheet BC807-16LT1G

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.