KA1980SCG, 100nA 50V 350mW 150mA 80MHz 300mV@100mA,10mA PNP +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
550 шт., срок 7 недель
3 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
2 руб.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 150 руб.
Описание
50V 350mW 150mA PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 150mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@100mA, 10mA |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 350mW |
Transistor Type | PNP |
Transition Frequency (fT) | 80MHz |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Maximum DC Collector Current | 150mA |
Pd - Power Dissipation | 350mW |
Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet KA1980SCG
pdf, 640 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.