2SD882D-P, 1uA 30V 1W 160@1A,2V 3A 90MHz 300mV@2A,200mA NPN +150-@(Tj) TO-252 Bipolar Transistors - BJT
2990 шт., срок 7 недель
33 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
20 руб.
от 150 шт. —
17 руб.
от 500 шт. —
14.19 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 165 руб.
Описание
30V 1W 160@1A,2V 3A NPN TO-252-2 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 3A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 1uA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 30V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@2A, 200mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 160@1A, 2V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 1W |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 90MHz |
| Вес, г | 0.45 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 871 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
