2SB1132-Q, 500nA 32V 500mW 120@100mA,3V 1A 150MHz 500mV@500mA,50mA PNP +150-@(Tj) SOT-89 Bipolar Transistors - BJT
350 шт., срок 7 недель
16 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
10 руб.
от 300 шт. —
7.70 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 160 руб.
Описание
32V 500mW 120@100mA,3V 1A PNP SOT-89-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 1A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 500nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 32V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@500mA, 50mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@100mA, 3V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 500mW |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 150MHz |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 32V |
| Maximum DC Collector Current | 1A |
| Pd - Power Dissipation | 500mW |
| Вес, г | 0.13 |
Техническая документация
Datasheet 2SB1132-Q
pdf, 1771 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
