2SB772T-P
985 шт., срок 7-9 недель
8 руб.
Мин. кол-во для заказа 44 шт.
от 100 шт. —
6.80 руб.
от 500 шт. —
6.03 руб.
Добавить в корзину 44 шт.
на сумму 352 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
30V 500mW 160@1A,2V 3A PNP SOT-89-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 30V |
| Maximum DC Collector Current | 3A |
| Pd - Power Dissipation | 500mW |
| Transistor Type | PNP |
| Collector Current (Ic) | 3A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 1uA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 30V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@2A, 200mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 160@1A, 2V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 500mW |
| Transition Frequency (fT) | 80MHz |
Техническая документация
Datasheet 2SB772T-P
pdf, 1586 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
