HSL0004, 100V 3A 1.5W 112m-@10V,2A 2.5V@250uA N Channel SOT-223 MOSFETs
300 шт., срок 7 недель
60 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
38 руб.
от 150 шт. —
33 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 300 руб.
Описание
100V 3A 1.5W 112mΩ@10V,2A 2.5V@250uA N Channel SOT-223-3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 3A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 112mΩ@10V, 2A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
Power Dissipation (Pd) | 1.5W |
Type | N Channel |
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 3A |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 1.5W |
Rds On - Drain-Source Resistance | 112mО© @ 2A,10V |
Transistor Polarity | N Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 2.5V @ 250uA |
Вес, г | 0.16 |
Техническая документация
Datasheet HSL0004
pdf, 278 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.