DMN3033LSN-7

Фото 2/3 DMN3033LSN-7Фото 3/3 DMN3033LSN-7
Фото 1/3 DMN3033LSN-7
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1070 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
37 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт.27 руб.
от 30 шт.25.10 руб.
от 100 шт.23.30 руб.
Добавить в корзину 3 шт. на сумму 111 руб.
Номенклатурный номер: 8003607927
Производитель: Diodes Incorporated

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
N-канальный полевой МОП-транзистор, 30 В, Diodes Inc.

Технические параметры

Brand Diodes Incorporated
Channel Mode Enhancement
Configuration Single
Factory Pack Quantity 3000
Fall Time 7 ns
Height 1.1 mm
Id - Continuous Drain Current 6 A
Length 3 mm
Manufacturer Diodes Incorporated
Maximum Operating Temperature + 150 C
Minimum Operating Temperature - 55 C
Mounting Style SMD/SMT
Number Of Channels 1 Channel
Package / Case SC-59-3
Packaging Cut Tape or Reel
Pd - Power Dissipation 1.4 W
Product MOSFET Small Signal
Product Category MOSFET
Product Type MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance 40 mOhms
Rise Time 7 ns
Series DMN3033
Subcategory MOSFETs
Technology Si
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 63 ns
Typical Turn-On Delay Time 11 ns
Unit Weight 0.000282 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Width 1.6 mm
Максимальная рабочая температура +150 °C
Количество элементов на ИС 1
Длина 3.1мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 11 ns
Производитель DiodesZetex
Типичное время задержки выключения 61 lm
Максимальный непрерывный ток стока 6 A
Тип корпуса SOT-346 (SC-59)
Максимальное рассеяние мощности 1,4 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура -55 °C
Ширина 1.7мм
Maximum Gate Threshold Voltage 2.1V
Высота 1.3мм
Максимальное сопротивление сток-исток 40 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 30 V
Число контактов 3
Размеры 3.1 x 1.7 x 1.3мм
Категория Мощный МОП-транзистор
Материал транзистора Кремний
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 755 пФ при 10 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Id - непрерывный ток утечки 6 A
Pd - рассеивание мощности 1.4 W
Qg - заряд затвора 10.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 40 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 7 ns
Время спада 7 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Продукт MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки 3000
Серия DMN3033
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки при включении 11 ns
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SC-59-3
Base Product Number DMN3033 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 5V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 755pF @ 10V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Power Dissipation (Max) 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package SC-59-3
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250ВµA

Техническая документация

Datasheet DMN3033LSN-7
pdf, 154 КБ
Datasheet DMN3033LSN-7
pdf, 149 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах