KBT5401C, 100nA 160V 200mW 60@10mA,5V 600mA 100MHz 500mV@50mA,5mA PNP +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
4900 шт., срок 7 недель
5 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
4 руб.
от 600 шт. —
2.40 руб.
от 3000 шт. —
1.58 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 100 руб.
Описание
160V 200mW 60@10mA,5V 600mA PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 600mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 160V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@50mA, 5mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 60@10mA, 5V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 160V |
| Maximum DC Collector Current | 600mA |
| Pd - Power Dissipation | 200mW |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet KBT5401C
pdf, 6784 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
