YJD15N10A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
793 шт. со склада г.Москва, срок 9-10 дней
160 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
110 руб.
от 10 шт. —
85 руб.
от 100 шт. —
65.88 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 320 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
Транзистор N-MOSFET, TRENCH POWER MV, полевой, 100В, 10,5А, TO252
Технические параметры
| Manufacturer | Yangzhou Yangjie Elec Tech |
| Package / Case | TO-252 |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Case | TO252 |
| Drain current | 10.5A |
| Drain-source voltage | 100V |
| Gate charge | 16nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 0.12Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 22.5W |
| Pulsed drain current | 60A |
| Technology | TRENCH POWER MV |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 1.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 647 КБ
Документация
pdf, 1204 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
