2SD669AG-C-AB3-R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
488 шт., срок 7-9 недель
16 руб.
Мин. кол-во для заказа 22 шт.
Добавить в корзину 22 шт.
на сумму 352 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 160V |
| Maximum DC Collector Current | 1.5A |
| Pd - Power Dissipation | 500mW |
| Transistor Type | NPN |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 225 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
