2SC4116-GR
355 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
95 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 190 руб.
Описание
Электроэлемент
Bipolar Transistors - BJT USM PLN TRANSISTOR Pd=100mW F=80MHz
Технические параметры
| Brand | Toshiba |
| Collector- Base Voltage VCBO | 60 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.1 V |
| Continuous Collector Current | 150 mA |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 70 |
| DC Current Gain hFE Max | 700 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Gain Bandwidth Product fT | 80 MHz |
| Height | 0.9 mm |
| Length | 2 mm |
| Manufacturer | Toshiba |
| Maximum DC Collector Current | 150 mA |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SC-70-3 |
| Packaging | Cut Tape |
| Pd - Power Dissipation | 100 mW |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| RoHS | Details |
| Series | 2SC4116 |
| Transistor Polarity | NPN |
| Unit Weight | 0.000219 oz |
| Width | 1.25 mm |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
