MT29F4G08ABADAH4:D
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 430 руб.
от 2 шт. —
2 230 руб.
от 5 шт. —
2 110 руб.
от 7 шт. —
2 033.75 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 430 руб.
Описание
Электроэлемент
Flash Memory, SLC NAND, 4 Gbit, 512M x 8bit, Parallel, VFBGA, 63 Pins
Технические параметры
| Base Part Number | MT29F4G08 |
| Manufacturer | Micron Technology Inc. |
| Memory Format | FLASH |
| Memory Interface | Parallel |
| Memory Size | 4Gb(512M x 8) |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 0В°C ~ 70В°C(TA) |
| Package / Case | 63-VFBGA |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | 63-VFBGA(9x11) |
| Technology | FLASH-NAND |
| Voltage - Supply | 2.7V ~ 3.6V |
| IC Case / Package | VFBGA |
| Interfaces | Parallel |
| Memory Configuration | 512M x 8bit |
| Время Доступа | 16нс |
| Количество Выводов | 63вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | 3.3V SLC NAND Flash Memories |
| Максимальная Рабочая Температура | 70°C |
| Максимальная Тактовая Частота | 50МГц |
| Максимальное Напряжение Питания | 3.6В |
| Минимальная Рабочая Температура | 0°C |
| Минимальное Напряжение Питания | 2.7В |
| Монтаж Микросхемы | SMD(Поверхностный Монтаж) |
| Номинальное Напряжение Питания | 3.3В |
| Плотность Памяти | 4Гбит |
| Тип Flash Памяти | SLC NAND |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |
| Вес, г | 5.54 |
Техническая документация
Документация
pdf, 12 КБ
