BD651, Power Transistor, NPN, 120V, TO-220
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
106 шт., срок 6-8 недель
360 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 1 080 руб.
Описание
Transistors, Bipolar
Технические параметры
Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat)) | 3 V |
Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) | 2.5 V |
Collector-Base Voltage (Vcbo) | 140 V |
Collector-Emitter Voltage (Vceo) | 120 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current (Ic) | 8 A |
DC Current Gain (hFE) | 1800 |
Emitter-Base Voltage (Vebo) | 5 V |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature Max. | 150 °C |
Operating Temperature Min. | -65 °C |
Package Type | TO-220 |
Pins | 3 |
Power Dissipation (Pd) | 62.5 W |
Transistor Polarity | NPN |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
bv610483.pdf
pdf, 115 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.