2N2907A, Bipolar Transistor 600mA PNP 60V TO-92

Фото 1/8 2N2907A, Bipolar Transistor 600mA PNP 60V TO-92
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
545 шт., срок 7-9 недель
12 руб.
Мин. кол-во для заказа 25 шт.
Добавить в корзину 25 шт. на сумму 300 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8004449027
Артикул: 2N2907A

Описание

Transistors, Bipolar
Описание Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А, 0.625 Вт, Кус 100-300, 200 МГц Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид PNP

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 625 mW
Вид монтажа Through Hole
Высота 4.7 mm
Длина 4.7 mm
Другие названия товара № KSP2907ATA_NL
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 300
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.6 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.6 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 0.6 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 200 MHz
Размер фабричной упаковки 2000
Серия KSP2907A
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка Ammo Pack
Упаковка / блок TO-92-3 Kinked Lead
Ширина 3.93 mm
Brand ON Semiconductor/Fairchild
Collector- Base Voltage VCBO -60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max -60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage -1.6 V
Configuration Single
Continuous Collector Current -0.6 A
DC Current Gain hFE Max 300
Emitter- Base Voltage VEBO -5 V
Factory Pack Quantity 2000
Gain Bandwidth Product fT 200 MHz
Height 4.7 mm
Length 4.7 mm
Manufacturer ON Semiconductor
Maximum DC Collector Current 0.6 A
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-92-3 Kinked Lead
Packaging Ammo Pack
Part # Aliases KSP2907ATA_NL
Pd - Power Dissipation 625 mW
Product Category Bipolar Transistors-BJT
RoHS Details
Series KSP2907A
Transistor Polarity PNP
Unit Weight 0.008466 oz
Width 3.93 mm
Maximum Collector Base Voltage -60 V
Maximum Collector Emitter Voltage 60 V
Maximum Emitter Base Voltage -5 V
Maximum Power Dissipation 625 mW
Minimum DC Current Gain 100
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-92
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Type PNP
Automotive No
Maximum Collector Base Voltage - (V) 60
Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) 60
Maximum DC Collector Current - (A) 0.6
Maximum Emitter Base Voltage - (V) 5
Maximum Power Dissipation - (mW) 625
Maximum Transition Frequency - (MHz) 250(Min)
Military No
Operating Temperature - (??C) -55~150
Standard Package Name TO-92
Supplier Package TO-92
Вес, г 0.26

Техническая документация

Datasheet
pdf, 306 КБ
Datasheet
pdf, 307 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 147 КБ
Datasheet
pdf, 307 КБ
KSP2907A Datasheet
pdf, 36 КБ
Документация
pdf, 153 КБ
KSP2907A
pdf, 290 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.