IRL540NS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
500 руб.
от 2 шт. —
400 руб.
от 5 шт. —
332 руб.
от 10 шт. —
306.18 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 500 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 100V, 36A, TO-263, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:36A, Drain Source Voltage Vds:100V, On Resistance Rds(on):0.044ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2V, Power Dissipation, RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Lead Finish | Matte Tin |
| Max Processing Temp | 260I300 |
| Maximum Continuous Drain Current | 36 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±16 V |
| Mounting | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55 to 175 °C |
| RDS-on | 44@10V mOhm |
| Typical Fall Time | 62 ns |
| Typical Rise Time | 81 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 39 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 11 ns |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
IRL540NSPBF Datasheet
pdf, 914 КБ
Документация
pdf, 921 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
