BT136-600D/DG,127, Triacs 4Q TRIAC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5840 шт., срок 7-9 недель
200 руб.
от 10 шт. —
170 руб.
от 100 шт. —
112 руб.
от 500 шт. —
90.20 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 200 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Thyristors\Triacs
Защита цепи высокого напряжения NEC 600 В
Технические параметры
| Brand: | WeEn Semiconductors |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Gate Trigger Current - Igt: | 5 mA |
| Gate Trigger Voltage - Vgt: | 0.7 V |
| Holding Current Ih Max: | 10 mA |
| Manufacturer: | WeEn Semiconductors |
| Maximum Operating Temperature: | +125 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Non Repetitive On-State Current: | 27 A |
| Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM: | 0.1 mA |
| On-State RMS Current - It RMS: | 4 A |
| On-State Voltage: | 1.4 V |
| Package / Case: | TO-220AB-3 |
| Part # Aliases: | 934065572127 |
| Product Category: | Triacs |
| Product Type: | Triacs |
| Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM: | 600 V |
| Subcategory: | Thyristors |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet BT136-600D/DG.127
pdf, 400 КБ
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
