FS150R12KT4_B9, IGBT Modules IGBT Module 150A 1700V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
59 630 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 59 630 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности: | 750 W |
| Вид монтажа: | Chassis Mount |
| Другие названия товара №: | SP000862502 FS150R12KT4B9BOSA1 |
| Коммерческое обозначение: | TRENCHSTOP EconoPACK |
| Максимальная рабочая температура: | +150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер: | 20 V |
| Минимальная рабочая температура: | -40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 1200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 2.1 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C: | 150 A |
| Подкатегория: | IGBTs |
| Продукт: | IGBT Silicon Modules |
| Производитель: | Infineon |
| Размер фабричной упаковки: Размер фабричной упаковки: | 10 |
| Серия: | Trenchstop IGBT4-T4 |
| Технология: | Si |
| Тип продукта: | IGBT Modules |
| Ток утечки затвор-эмиттер: | 100 nA |
| Торговая марка: | Infineon Technologies |
| Упаковка: | Tray |
| Вес, г | 300 |
Техническая документация
Datasheet FS150R12KT4_B9
pdf, 444 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
