IRF7495TRPBF, MOSFET MOSFT 100V 7.3A 22mOhm 34nC Qg
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
310 руб.
от 10 шт. —
250 руб.
от 100 шт. —
202 руб.
от 500 шт. —
171.29 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 310 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 7,3А, 2,5Вт, SO8
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Id - Continuous Drain Current: | 7.3 A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Part # Aliases: | IRF7495TRPBF SP001565412 |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 34 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 22 mOhms |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Вес, г | 0.54 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 155 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
