MRF1000MB, RF Bipolar Transistors RF Transistor
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 шт., срок 7-9 недель
14 870 руб.
от 10 шт. —
12 010 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 14 870 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\RF Transistors
Технические параметры
Brand: | Advanced Semiconductor, Inc. |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 20 V |
Continuous Collector Current: | 200 mA |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 15 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 3.5 V |
Manufacturer: | Advanced Semiconductor, Inc. |
Maximum Operating Temperature: | +200 C |
Minimum Operating Temperature: | -65 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Operating Frequency: | 1.09 GHz |
Package / Case: | 332A-03 |
Packaging: | Tray |
Pd - Power Dissipation: | 7 W |
Product Category: | RF Bipolar Transistors |
Product Type: | RF Bipolar Transistors |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN |
Transistor Type: | Bipolar Power |
Type: | RF Bipolar Power |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 12 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.