MRF8372LF, RF Bipolar Transistors RF Transistor
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
550 шт., срок 7-9 недель
2 020 руб.
от 10 шт. —
1 640 руб.
от 25 шт. —
1 490 руб.
от 100 шт. —
1 278.31 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 020 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\RF Transistors
Технические параметры
| Brand: | Advanced Semiconductor, Inc. |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 16 V |
| Continuous Collector Current: | 200 mA |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 30 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1 |
| Manufacturer: | Advanced Semiconductor, Inc. |
| Maximum Operating Temperature: | +200 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Operating Frequency: | 800 MHz |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Packaging: | Tray |
| Pd - Power Dissipation: | 2.2 W |
| Product Category: | RF Bipolar Transistors |
| Product Type: | RF Bipolar Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Transistor Type: | Bipolar Power |
| Type: | RF Bipolar Power |
| Вес, г | 0.54 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 22 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
