BFP 196W H6327, RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 руб.
от 10 шт. —
89 руб.
от 100 шт. —
53 руб.
от 1000 шт. —
26.20 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 120 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\RF Transistors
Описание Биполярный транзистор BFP 196W H6327 от производителя INFINEON представляет собой компонент NPN типа, предназначенный для монтажа в SMD технологии. Он характеризуется током коллектора в 0,15 А и напряжением коллектор-эмиттер равным 20 В. При этом мощность устройства составляет 0,7 Вт. Благодаря компактному корпусу SOT343, данный транзистор идеально подходит для использования в ограниченном пространстве. Модель BFP196WH6327 превосходно демонстрирует свою эффективность в различных областях применения, где требуются надежность и высокая производительность в сочетании с экономией пространства. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | NPN |
| Монтаж | SMD |
| Ток коллектора, А | 0.15 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 20 |
| Мощность, Вт | 0.7 |
| Корпус | SOT343 |
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 12 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | 150 mA |
| DC Current Gain hFE Max: | 140 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 7.5 GHz |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package/Case: | SOT-343 |
| Part # Aliases: | SP000745250 BFP196WH6327XT BFP196WH6327XTSA1 |
| Pd - Power Dissipation: | 700 mW |
| Product Category: | RF Bipolar Transistors |
| Product Type: | RF Bipolar Transistors |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Transistor Type: | Bipolar |
| Type: | RF Bipolar Small Signal |
| Collector Current (Ic) | 150mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 12V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | - |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 70@50mA, 8V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 700mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 7.5GHz |
| Вес, г | 0.06 |
Техническая документация
Datasheet BFP 196W H6327
pdf, 540 КБ
Infineon Technologies BFP 196W H6327
pdf, 546 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
