QPA2212D, RF Amplifier 27-31GHz 25W GaN POWER AMP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 шт., срок 7-9 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
218 100 руб.
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 2 181 000 руб.
Описание
Semiconductors\Wireless & RF Integrated Circuits\RF Amplifier
QPA2212D Ka-Band GaN Power Amplifier Qorvo QPA2212D Ka-Band GaN Power Amplifier is fabricated using a 0.15µm Gallium Nitride on Silicon Carbide (GaN on SiC) process (QGaN15). Operating between 27GHz and 31GHz, the QPA2212D achieves 10W linear power with -25dBc intermodulation distortion and 22dB small-signal gain. Saturated output power is 25W with a power-added efficiency of 25%.
Технические параметры
| Brand: | Qorvo |
| Development Kit: | QPA2212D EVB |
| Factory Pack Quantity: | 10 |
| Gain: | 21.7 dB |
| Input Return Loss: | 29 dB |
| Manufacturer: | Qorvo |
| Maximum Operating Temperature: | +85 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Operating Frequency: | 27.5 GHz to 31 GHz |
| Operating Supply Current: | 460 mA |
| Operating Supply Voltage: | 22 V |
| Package/Case: | Die |
| Pd - Power Dissipation: | 80.3 W |
| Product Category: | RF Amplifier |
| Product Type: | RF Amplifier |
| Subcategory: | Wireless & RF Integrated Circuits |
| Technology: | GaN SiC |
| Type: | Power Amplifiers |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 619 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
