QPD1016, RF JFET Transistors DC-1.7 GHz, 500W, 50V, GaN RF Tr
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 шт., срок 7-9 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
238 000 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 238 000 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\RF Transistors
Технические параметры
| Brand: | Qorvo |
| Configuration: | Single |
| Development Kit: | QPD1016EVB01 |
| Factory Pack Quantity: | 25 |
| Gain: | 23.9 dB |
| Id - Continuous Drain Current: | 70 A |
| Manufacturer: | Qorvo |
| Maximum Drain Gate Voltage: | 55 V |
| Maximum Operating Temperature: | +85 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Operating Frequency: | DC to 1.7 GHz |
| Output Power: | 680 W |
| Package/Case: | NI780-2 |
| Pd - Power Dissipation: | 714 W |
| Product Category: | RF JFET Transistors |
| Product Type: | RF JFET Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | GaN SiC |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | HEMT |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 145 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | -7 V to 1.5 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1655 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
