TGF2965-SM, RF JFET Transistors 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
777 шт., срок 7-9 недель
17 240 руб.
от 25 шт. —
10 770 руб.
от 100 шт. —
8 480 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 17 240 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\RF Transistors
QPD GaN RF Transistors Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
Технические параметры
| Brand: | Qorvo |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 100 |
| Gain: | 18 dB |
| Id - Continuous Drain Current: | 600 mA |
| Manufacturer: | Qorvo |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Operating Frequency: | 30 MHz to 3 GHz |
| Output Power: | 6 W |
| Package/Case: | QFN-16 |
| Packaging: | Tray |
| Part # Aliases: | TGF2965 1123170 |
| Pd - Power Dissipation: | 7.5 W |
| Product Category: | RF JFET Transistors |
| Product Type: | RF JFET Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | GaN SiC |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | HEMT |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 32 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | -2.7 V |
| Вес, г | 0.06 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1750 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
