AUIRFB8405, MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.9mOhm 120A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 730 руб.
от 10 шт. —
1 470 руб.
от 25 шт. —
1 100 руб.
от 100 шт. —
923.09 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 730 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
Описание Транзистор полевой AUIRFB8405 от производителя INFINEON, представляет собой высокопроизводительный компонент типа N-MOSFET с монтажом THT. Обладает током стока до 120 А и напряжением сток-исток 40 В, что обеспечивает его широкую область применения. Мощность составляет 163 Вт, а сопротивление в открытом состоянии всего 0,0021 Ом, указывая на его высокую эффективность. Корпус TO220AB обеспечивает надежность и долговечность использования. Транзистор AUIRFB8405 идеально подходит для мощных и энергоэффективных решений в электронике. Код продукта AUIRFB8405 позволяет легко найти и заказать данный транзистор для реализации ваших проектов. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | THT |
Ток стока, А | 120 |
Напряжение сток-исток, В | 40 |
Мощность, Вт | 163 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.0021 |
Корпус | TO220AB |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 120 A |
Pd - рассеивание мощности | 163 W |
Qg - заряд затвора | 107 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.5 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.9 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 128 ns |
Время спада | 77 ns |
Высота | 15.65 mm |
Длина | 10 mm |
Другие названия товара № | SP001516720 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | CoolIRFet |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 100 S |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 55 ns |
Типичное время задержки при включении | 14 ns |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Ширина | 4.4 mm |
Base Product Number | AUIRFB8405 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 120A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 161nC @ 10V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5193pF @ 25V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-220-3 |
Power Dissipation (Max) | 163W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 100A, 10V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | HEXFETВ® -> |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 100ВµA |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
auirfb8405
pdf, 222 КБ
Datasheet AUIRFB8405
pdf, 227 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов