AUIRLR120NTRL, MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
630 руб.
от 10 шт. —
490 руб.
от 100 шт. —
373 руб.
от 250 шт. —
320.85 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 630 руб.
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10A DPAK
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.185Ом |
Power Dissipation | 48Вт |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | HEXFET |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
Непрерывный Ток Стока | 10А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
Рассеиваемая Мощность | 48Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.185Ом |
Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
Вес, кг | 33.7 |
Техническая документация
Datasheet AUIRLR120NTRL
pdf, 444 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов