IRFS3307ZTRRPBF, MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 79nC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
820 руб.
от 10 шт. —
660 руб.
от 25 шт. —
601 руб.
от 100 шт. —
467.79 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 820 руб.
Описание
The Infineon HEXFET series single N-Channel Power MOSFET integrated with D2PAK (TO-263) type package.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 128 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0058 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 75 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Pin Count | 3 |
| Series | HEXFET |
| Transistor Material | Si |
| Вес, г | 4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 316 КБ
