IRFZ44ZLPBF, MOSFET MOSFT 55V 51A 13.9mOhm 29nC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
520 руб.
от 10 шт. —
400 руб.
от 100 шт. —
353 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 520 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор MOSFT 55V 51A 13.9mOhm 29nC
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 51 A |
| Pd - рассеивание мощности | 80 W |
| Qg - заряд затвора | 29 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 13.9 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 9.45 mm |
| Длина | 10.2 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-262-3 |
| Ширина | 4.5 mm |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Lead Shape | Through Hole |
| Material | Si |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 51 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 13.9 10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 55 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 80000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Process Technology | HEXFET |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | I2PAK |
| Supplier Package | TO-262 |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 41 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 29 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 29 10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1420 25V |
| Typical Rise Time (ns) | 68 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 33 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 14 |
| Вес, г | 63 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 383 КБ
Datasheet IRFZ44ZLPBF
pdf, 402 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
