IRFP150MPBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 100В, 42А, 160Вт, TO247AC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
220 руб.
от 10 шт. —
180 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 220 руб.
Описание
МОП-транзистор MOSFT 100V 39A 36mOhm 73.3nCAC
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 42 A |
Pd - рассеивание мощности | 160 W |
Qg - заряд затвора | 110 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 36 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 20.7 mm |
Длина | 15.87 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 400 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Торговая марка | Infineon / IR |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Ширина | 5.31 mm |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 42A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
FET Feature | - |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 25V |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
Package / Case | TO-247-3 |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 160W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 23A, 10V |
Series | HEXFETВ® |
Supplier Device Package | TO-247AC |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 42 A |
Maximum Drain Source Resistance | 36 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 160 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-247AC |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
Width | 5.2mm |
Вес, г | 6.19 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов