MT25QU02GCBB8E12-0AAT, NOR Flash SPI FLASH NOR SLC 512MX4 TBGA QDP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11 650 руб.
от 10 шт. —
9 800 руб.
от 25 шт. —
8 800 руб.
от 50 шт. —
8 573.32 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 11 650 руб.
Описание
MT25QU02GCBB8E12-0AAT is a high-performance multiple input/output serial NOR flash memory device. It features a high-speed SPI-compatible bus interface, execute-in-place (XIP) functionality, advanced write protection mechanisms, and extended address access. Innovative, high-performance, dual and quad input/output commands enable double or quadruple the transfer bandwidth for read and program operations.
• Operating voltage range from 1.7V to 2.0V
• 2Gb (256MB) density
• 4 die stacked
• 64KB sectors, 4KB and 32KB subsectors
• Additional reset and hold pin
• Standard default security
• Automotive grade AEC-Q100 qualified
• Operating temperature range from- 40°C to +125°C
• Single and double transfer rate (STR/DTR)
• Available in 24-ball TPBGA package
Технические параметры
| IC Case / Package | TBGA |
| Interfaces | SPI |
| Memory Configuration | 256M x 8bit |
| Количество Выводов | 24вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | 1.8V Serial NOR Flash Memories |
| Максимальная Рабочая Температура | 105°C |
| Максимальная Тактовая Частота | 166МГц |
| Максимальное Напряжение Питания | 2В |
| Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
| Минимальное Напряжение Питания | 1.7В |
| Монтаж Микросхемы | SMD(Поверхностный Монтаж) |
| Номинальное Напряжение Питания | 1.8В |
| Плотность Памяти | 2Гбит |
| Тип Flash Памяти | Последовательная NOR |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |
