BSP315PH6327XTSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
270 руб.
от 10 шт. —
210 руб.
от 100 шт. —
140 руб.
от 500 шт. —
105.49 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 270 руб.
Описание
Описание Полевой транзистор BSP315PH6327XTSA1 от известного производителя INFINEON идеально подходит для монтажа на поверхность благодаря SMD-исполнению. Этот N-MOSFET транзистор обладает током стока 1,17 А и напряжением сток-исток 60 В, что позволяет использовать его в широком спектре электронных применений. Высокая мощность в 1,8 Вт и низкое сопротивление в открытом состоянии всего 0,8 Ом обеспечивают эффективную и надежную работу. Корпус PG-SOT223 гарантирует удобство монтажа и экономию места на печатной плате. Продукт BSP315PH6327XTSA1 отличается высоким качеством и долговечностью, что делает его отличным выбором для разработчиков и инженеров. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 1.17 |
| Напряжение сток-исток, В | 60 |
| Мощность, Вт | 1.8 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.8 |
| Корпус | PG-SOT223 |
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | 1 P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Fall Time | 19 ns |
| Forward Transconductance - Min | 700 mS |
| Height | 1.6 mm |
| Id - Continuous Drain Current | -1.17 A |
| Length | 6.5 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SOT-223-4 |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | BSP315P H6327 SP001058830 |
| Pd - Power Dissipation | 1.8 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 5.2 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 500 mOhms |
| Rise Time | 9 ns |
| RoHS | Details |
| Series | BSP315 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 32 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 24 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | +/-20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | -2 V |
| Width | 3.5 mm |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 19 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 700 mS |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.17 A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | SOT-223-4 |
| Part # Aliases: | BSP315P H6327 SP001058830 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.8 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 5.2 nC |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 800 mOhms |
| Rise Time: | 9 ns |
| Series: | BSP315 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 32 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 24 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 480 КБ
Документация
pdf, 425 КБ
