STWA40N90K5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
600 шт., срок 7-9 недель
4 030 руб.
от 30 шт. —
2 870 руб.
от 120 шт. —
2 510 руб.
от 510 шт. —
2 273.45 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 030 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Стандартные продукты
Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Технические параметры
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
Fall Time: | 13.4 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-247-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 446 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 89 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 88 mOhms |
Rise Time: | 15.5 ns |
Series: | STWA40N90K5 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | MDmesh |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 84.5 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 30.4 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 900 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 613 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.