VNP35N07-E
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
878 шт., срок 7-9 недель
1 680 руб.
от 50 шт. —
1 070 руб.
от 100 шт. —
917 руб.
от 500 шт. —
758.86 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 680 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
The OMNIFET series of fully auto-protected low-side drivers, are measured on the criteria of ruggedness and improved reliability.
Технические параметры
Brand | STMicroelectronics |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Forward Transconductance - Min | 25 S |
Id - Continuous Drain Current | 35 A |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 125 W |
Product Category | MOSFET |
Rds On - Drain-Source Resistance | 28 mOhms |
RoHS | Details |
Series | VNP35N07-E |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Type | MOSFET |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 70 V |
Maximum Operating Current | 35A |
Maximum Operating Supply Voltage | 70 V |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | TO-220 |
Pin Count | 3 |
Power Switch Type | OMNIFET:Fully Autoprotected Power MOSFET |
Техническая документация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.