STY112N65M5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
600 шт., срок 7-9 недель
10 110 руб.
от 30 шт. —
7 150 руб.
от 120 шт. —
6 670 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 10 110 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
STM MDmeshV Power MOSFETs - Thru-Hole
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
| Id - Continuous Drain Current: | 96 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | Max247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 625 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 350 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 19 mOhms |
| Series: | Mdmesh M5 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | MDmesh |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 837 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
