STP18NM80
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
987 шт., срок 7-9 недель
1 980 руб.
от 50 шт. —
1 390 руб.
от 100 шт. —
1 250 руб.
от 500 шт. —
1 018.89 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 980 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 10,71А, 190Вт, TO220-3 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Lead Shape | Through Hole |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 17 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 295@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 800 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 190000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Process Technology | MDmesh |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Supplier Temperature Grade | Industrial |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 50 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 70 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 70@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 2070@50V |
| Typical Rise Time (ns) | 28 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 96 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 18 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1058 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
