TK040N65Z,S1F

TK040N65Z,S1F
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
65 шт., срок 7-9 недель
3 120 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 120 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8005996741
Бренд: Toshiba

Описание

МОП-транзисторы DTMOSVI

МОП-транзисторы Toshiba серии DTMOSVI обладают низким сопротивлением сток-исток в открытом состоянии (R DS(ON) = 0,033 Ом (тип.)). Эти устройства имеют напряжение сток-исток 650В при токе стока 57А. МОП-транзисторы серии DTMOSVI обеспечивают высокую скорость переключения при меньшей емкости. Эти МОП-транзисторы идеально подходят для использования в импульсных источниках питания.

Технические параметры

Brand: Toshiba
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 30
Fall Time: 5 ns
Id - Continuous Drain Current: 57 A
Manufacturer: Toshiba
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Number of Channels: 1 Channel
Package/Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 360 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 105 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 40 mOhms
Rise Time: 65 ns
Series: TK040N65Z
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: DTMOSVI
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 170 ns
Typical Turn-On Delay Time: 120 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -30 V, +30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3 V

Техническая документация

Datasheet
pdf, 486 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.