BSS127H6327XTSA2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
150 руб.
от 10 шт. —
110 руб.
от 100 шт. —
48 руб.
от 500 шт. —
39.47 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 150 руб.
Описание
Описание Транзистор полевой BSS127H6327XTSA2 от производителя INFINEON – это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа на поверхность (SMD). Он обладает низким током стока 0,021 А, высоким напряжением сток-исток, достигая 600 В, и работает при мощности 0,5 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет 500 Ом. Компактный корпус SOT23 позволяет использовать транзистор в различных электронных устройствах, где требуется экономия пространства. Модель BSS127H6327XTSA2 станет надежным элементом в вашей электронной схеме. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 0.021 |
| Напряжение сток-исток, В | 600 |
| Мощность, Вт | 0.5 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 500 |
| Корпус | SOT23 |
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 21mA |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 500mW |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 500О© @ 16mA,10V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2.6V @ 8uA |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 115 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 7 mS |
| Id - Continuous Drain Current: | 21 mA |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Part # Aliases: | BSS127H6327XT SP000919332 BSS127H6327XTSA2 |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Qg - Gate Charge: | 650 pC |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 310 Ohms |
| Rise Time: | 9.7 ns |
| Series: | BSS127 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 14 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6.1 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 389 КБ
Datasheet BSS127H6327XTSA2
pdf, 250 КБ
