IPG16N10S461AATMA1, MOSFET MOSFET_(75V 120V(
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
370 руб.
от 10 шт. —
290 руб.
от 100 шт. —
213 руб.
от 500 шт. —
168.66 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 370 руб.
Описание
The Infineon range of new OptiMOS -T2 has a range of energy efficient MOSFET transistors with CO2 reduction and electric drives.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 16 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.061 O |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | SuperSO8 5x6 Dual |
| Pin Count | 8 |
| Series | OptiMOS-T2 |
| Transistor Material | Si |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 195 КБ
