BSS138A-TP, MOSFET N-Ch Enh FET 50Vds 0.22A 20Vgs 0.35W

BSS138A-TP, MOSFET N-Ch Enh FET 50Vds 0.22A 20Vgs 0.35W
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
71 руб.
от 10 шт.47 руб.
от 100 шт.28 руб.
от 1000 шт.12.42 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 71 руб.
Номенклатурный номер: 8006249095
Артикул: BSS138A-TP

Технические параметры

Case SOT23
Drain current 0.22A
Drain-source voltage 50V
Features of semiconductor devices ESD protected gate
Gate charge 0.7nC
Gate-source voltage ±20V
Kind of channel enhanced
Kind of package reel, tape
Manufacturer MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Mounting SMD
On-state resistance 2.5Ω
Polarisation unipolar
Power dissipation 0.35W
Type of transistor N-MOSFET
Вес, г 0.4885

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов