BSS138A-TP, MOSFET N-Ch Enh FET 50Vds 0.22A 20Vgs 0.35W
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
71 руб.
от 10 шт. —
47 руб.
от 100 шт. —
28 руб.
от 1000 шт. —
12.42 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 71 руб.
Технические параметры
Case | SOT23 |
Drain current | 0.22A |
Drain-source voltage | 50V |
Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
Gate charge | 0.7nC |
Gate-source voltage | ±20V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | reel, tape |
Manufacturer | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 2.5Ω |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 0.35W |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 0.4885 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов