PT100MF0MP, Phototransistors SMT Phototransistor 15 910nm 3.45mA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
18502 шт., срок 7-9 недель
250 руб.
от 10 шт. —
170 руб.
от 100 шт. —
98 руб.
от 500 шт. —
89.12 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 250 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Описание Фототранзистор, Разм: 3x2,2x1,5мм, -p макс: 910нм, 35В, 15°
Технические параметры
Angle of Half Sensitivity | ±15 ° |
Collector Current | 20mA |
Collector Emitter Voltage | 35V |
Emitter Collector Voltage | 6V |
Maximum Dark Current | 100nA |
Maximum Light Current | 3.45mA |
Maximum Wavelength Detected | 910nm |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Channels | 1 |
Number of Pins | 2 |
Output Signal Type | Analogue |
Package Type | SMD |
Polarity | Positive |
Saturation Voltage | 0.4V |
Series | PT100 |
Spectral Range of Sensitivity | Maximum of 910 nm |
Spectrums Detected | Infrared |
Typical Fall Time | 6µs |
Typical Rise Time | 5µs |
Width | 1.5mm |
Automotive | No |
Cut-Off Filter | Visible Cut-off |
Fabrication Technology | NPN Transistor |
Half Intensity Angle Degrees - (??) | 30 |
Maximum Collector Current - (mA) | 20 |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage - (V) | 0.4 |
Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) | 35 |
Maximum Dark Current - (nA) | 100 |
Maximum Emitter-Collector Voltage - (V) | 6 |
Maximum Fall Time - (ns) | 6000(Typ) |
Maximum Light Current - (uA) | 3450 |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 75 |
Maximum Rise Time - (ns) | 5000(Typ) |
Military | No |
Number of Channels per Chip | 1 |
Operating Temperature - (??C) | -30~85 |
Peak Wavelength - (nm) | 910 |
Pin Count | 2 |
Supplier Package | SMD |
Viewing Orientation | Side View |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet PT100MF0MP1
pdf, 812 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.