Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Vishay › IRF620PBF, MOSFET 200V N-CH HEXFET

IRF620PBF, MOSFET 200V N-CH HEXFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

280 руб.

от 10 шт. — 210 руб.

от 100 шт. — 159 руб.

от 500 шт. — 122.49 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 280 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8006419525

Артикул: IRF620PBF

Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 200В, 3,3А, 50Вт, TO220AB

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	5.2 A
Pd - рассеивание мощности	50 W
Qg - заряд затвора	14 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	800 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	200 V
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	22 ns
Время спада	13 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	1.5 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	50
Серия	IRF
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	19 ns
Типичное время задержки при включении	7.2 ns
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220AB-3
EU RoHS	Compliant
ECCN (US)	EAR99
Part Status	Active
HTS	8541.29.00.95
Product Category	Power MOSFET
Configuration	Single
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Number of Elements per Chip	1
Maximum Drain Source Voltage (V)	200
Maximum Gate Source Voltage (V)	±20
Maximum Continuous Drain Current (A)	5.2
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	800@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	14(Max)@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	14(Max)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	260@25V
Maximum Power Dissipation (mW)	50000
Typical Fall Time (ns)	13
Typical Rise Time (ns)	22
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	19
Typical Turn-On Delay Time (ns)	7.2
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Automotive	No
Pin Count	3
Standard Package Name	TO-220
Supplier Package	TO-220AB
Military	No
Mounting	Through Hole
Package Height	9.01(Max)
Package Length	10.41(Max)
Package Width	4.7(Max)
PCB changed	3
Tab	Tab
Lead Shape	Through Hole
Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	5.2
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм	800
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	50
Крутизна характеристики S,А/В	1.5
Температура, С	-55...+150
Корпус	TO220AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	5.2A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	260pF @ 25V
Manufacturer	Vishay Siliconix
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C(TJ)
Package / Case	TO-220-3
Packaging	Tube
Power Dissipation (Max)	50W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	800 mOhm @ 3.1A, 10V
Series	-
Supplier Device Package	TO-220AB
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250ВµA
Maximum Continuous Drain Current	5.2 A
Maximum Drain Source Resistance	800 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	200 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	50 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Package Type	TO-220AB
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	14 nC @ 10 V
Width	4.7mm
Вес, г	6