RQ5E035XNTCL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6000 шт., срок 7-9 недель
170 руб.
от 10 шт. —
150 руб.
от 100 шт. —
89 руб.
от 500 шт. —
67 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 170 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Silicon Power MOSFETs ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.
Технические параметры
Brand: | ROHM Semiconductor |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: | 3000 |
Fall Time: | 7 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 3.5 A |
Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | SOT-346-3 |
Packaging: | Reel, Cut Tape |
Part # Aliases: | RQ5E035XN |
Pd - Power Dissipation: | 1 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 3.3 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 50 mOhms |
Rise Time: | 25 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 25 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.