C3M0120090J-TR, MOSFET G3 SiC MOSFET/ Reel 900V, 120 mOhm
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2936 шт., срок 7-9 недель
2 520 руб.
от 10 шт. —
2 120 руб.
от 50 шт. —
1 980 руб.
от 100 шт. —
1 749.95 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 520 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 22A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Технические параметры
| Automotive | Unknown |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single Hex Source |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Material | SiC |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 22 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 155@15V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 900 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 250 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | 18 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3.5 |
| Maximum IDSS (uA) | 100 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 83000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 7 |
| Pin Count | 8 |
| PPAP | Unknown |
| Process Technology | C3M |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | D2PAK |
| Supplier Temperature Grade | Industrial |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 5 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 17.3@15V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 350@600V |
| Typical Rise Time (ns) | 9 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 15 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 12.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 930 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
