2SK1835-E, MOSFET MOSFET - Pb Free
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1155 шт., срок 6-8 недель
2 610 руб.
от 10 шт. —
2 230 руб.
от 30 шт. —
1 590 руб.
от 120 шт. —
1 400.46 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 610 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
The Renesas Electronics silicon N-channel MOSFET suitable for switching and load switch applications.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 4 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 4.6 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 1500 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-3PN |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Material | Silicon |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 110 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
